Microscopes Électroniques à Balayage
Le MEB à effet de champ Hitachi S-4800 est optimisé pour la haute résolution (jusqu’au nanomètre)
Cet équipement permet de répondre aux besoins en imagerie à forts grandissements sur tous types de matériaux. Il est également utilisé pour l'observation de matériaux fragiles sous le faisceau électronique, tels que les échantillons biologiques, les polymères, les semi-conducteurs ou plus généralement les matériaux ou structures associés aux nanotechnologies. La présence d’un détecteur STEM (Scanning Transmission Electron Microscopy) permet d’étendre les capacités d’imagerie du MEB en donnant accès à certaines informations normalement accessibles uniquement dans un Microscope Electronique en Transmission (MET).
Caractéristiques techniques :
- canon à émission de champ (cathode froide) : brillance du canon très importante
- gamme de tensions d'accélération vaste : de 0,1 kV à 30 kV
- résolution garantie sur site de 1 nm à 15 kV
- échantillons jusqu'à 40 mm de diamètre
- imagerie SE/BSE
- analyses EDS
- détecteur STEM
Exemples d’applications :
Nanopores (10-20 nm) dans Al anodisé (non métallisé)
Biominéraux dans racines
Nanotubes de carbone (STEM)
Le MEB à effet de champ JEOL J7600F est dédié à l'analyse combinée EDS/WDS
Il est équipé d'un couplage entre un spectromètre à sélection d’énergie (EDS) de type SDD et un spectromètre à dispersion de longueur d’onde (WDS) incliné.
Ce microscope permet l'observation et l'analyse quantitative avec témoins réels d'échantillons polis (lames minces ou sections polies) avec une très bonne résolution et un courant de faisceau fort (jusqu’à 200 nA à 30kV). Il est également possible d’acquérir des cartographies X quantitatives. Le couplage avec un WDS permet de lever certaines interférences dues à la faible résolution spectrale de l’EDS et d’abaisser la limite de détection.
Caractéristiques techniques :
- source Schottky (courant important, jusqu’à 200 nA)
- gamme de tensions d'accélération vaste : de 0,1 kV à 30 kV
- résolution garantie sur site de 1 nm à 15 kV
- échantillons jusqu'à 70 mm de diamètre
- imagerie SE : Upper secondary electron in-lens (SEI), Lower secondary electron (LEI)
- imagerie BSE: BSE rétractable et LABE (Low Angle BE Detector) pour les forts grandissements
- EDS 20mm2 Oxford Instruments
- WDS Oxford Wave
Exemples d’applications :
Cartographies élémentaires dans une scapolite
Le MEB conventionnel TESCAN VEGA3 LM est orienté vers l’observation et l’analyse d’échantillons variés, métallisés ou non, grâce à la possibilité de travailler en pression partielle.
C’est un équipement facile d’utilisation qui est accessible en libre-service après formation dispensée par un personnel habilité. Il est également équipé d’un détecteur de cathodoluminescence qui permet d’observer dans les minéraux des textures habituellement inaccessibles en microscopie optique ou électronique standard. La cathodoluminescence est aussi couramment utilisée dans le domaine des semi-conducteurs, notamment pour révéler certains défauts de structure. Il est possible de travailler en pression partielle jusqu’à 500 Pa.
Caractéristiques techniques :
- canon à filament de tungstène
- résolution garantie sur site de 3 nm à 30 kV
- échantillons jusqu’à 80mm de hauteur
- pression variable (jusqu’à 150 Pa ou 500 Pa avec changement du diaphragme)
- imagerie SE/BSE
- EDS Bruker XFlash6 30mm2
- Cathodoluminescence Gatan ChromaCL2UV
Exemples d’applications :
Image en cathodoluminescence d’une géode (quartz)
Image en cathodoluminescence d’un zircon
Image en cathodoluminescence d’une scapolite
